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- 2010.11
- 수록면
- 4,324 - 4,326 (3page)
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In this paper, we present a simple technique for fabrication of graphene field effect transistor (FET) devices using photolithography and their electric transport characteristics. Our graphene devices show a clear metallic characteristic with device resistance of 11 ㏀ at room temperature. The linear I<SUB>DS</SUB> and V<SUB>DS</SUB> behavior indicated a good ohmic contact between Au con^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE01552635');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
목차
Abstract
1. Introduction
2. FET Device Fabrication
3. Results and Discussion
4. Conclusion
Acknowledgements
References
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