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박신근 (서울대학교) 서창수 (서울대학교) 지상엽 (서울대학교) 김윤빈 (서울대학교) 정숙진 (서울대학교) 김장현 (서울대학교) 김조원 (서울대학교) 이종호 (서울대학교) 황철성 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
295 - 298 (4page)

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We studied gap-fill properties by the change of Deposition-Sputter (D/S) ratio through the decrease of silane and oxygen total gas flow in STI process using HDP CVD. D/S ratio was reduced with the decrease of total gas flow. The details of optimized gap-fill condition is discussed in this paper.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

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