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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sam Keun Jo (Gachon University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.6
발행연도
2017.11
수록면
174 - 178 (5page)

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The reactions of thermal hydrogen atoms H(g) with the Ge(100) surface were examined with temperatureprogrammed desorption (TPD) mass spectrometry. Concomitant H₂ and CH₄ TPD spectra taken from the H(g)-irradiated Ge(100) surface were distinctly different for low and high H(g) doses/substrate temperatures. Reactions suggested by our data are: (1) adsorbed mono(β₁)-/di-hydride(β₂)-H(a) formation; (2) H(a)-by-H(g) abstraction; (3) GeH₃(a)-by-H(g) abstraction (Ge etching); and (4) hydrogenated amorphous germanium a-Ge:H formation. While all these reactions occur, albeit at higher temperatures, also on Si(100), H(g) absorption by Ge(100) was not detected. This is in contrast to Si(100) which absorbed H(g) readily once the surface roughened on the atomic scale. While this result is rather against expectation from its weaker and longer Ge-Ge bond as well as a larger lattice constant, we attribute the absence of direct H(g) absorption to insufficient atomic-scale surface roughening and to highly efficient subsurface hydrogenation at moderate (>300 K) and low (≤300 K) temperatures, respectively.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Summary
References

참고문헌 (33)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001276781