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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이승윤 (한밭대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제20권 제2호
발행연도
2011.3
수록면
77 - 85 (9page)

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실리콘(Si)에 비해 상대적으로 밴드 갭이 작고, 열전도도가 낮으며, 기존의 Si 반도체 공정 기술과 호환이 가능한 실리콘-게르마늄(SiGe) 합금은 트랜지스터, 광수신 소자, 태양전지, 열전 소자 등 다양한 전자 소자에서 사용되고 있다. 본 논문에서는 SiGe 합금이 전자소자에 응용되는 원리 및 응용과 관련된 기술적인 논제들을 고찰한다. Si에 비해 밴드 갭이 작은 게르마늄(Ge)이 그 구성 원소인 SiGe 합금의 밴드 갭은 Si과 Ge의 분률과 상관없이 항상 Si의 밴드 갭 보다 작다. 이러한 SiGe의 작은 밴드 갭은 전류 이득의 손실 없이 베이스 두께를 감소시키는 것을 가능하게 하여 바이폴라 트랜지스터의 동작속도를 향상시킨다. 또한, Si이 흡수하지 못하는 장파장 대의 빛을 SiGe이 흡수하여 광전류를 생성하게 함으로써 태양전지의 변환효율을 증가 시킨다. 질량이 서로 다른 Si 및 Ge 원소의 불규칙적인 분포에 의해 발생하는 포논 산란 효과 때문에 SiGe 합금은 순수한 Si 및 Ge과 비교할 때 낮은 열전도도를 갖는다. 낮은 열전도도 특성의 SiGe 합금은 전자 소자 구조 내에서의 열 손실을 억제하는데 효과가 있으므로 Si 반도체 공정 기반의 열전 소자의 구성 물질로서 활용이 기대된다.
#실리콘-게르마늄 #소자 #밴드 갭 #열전도도 #Silicon-germanium #Device #Band gap #Thermal conductivity

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. SiGe 합금의 특성
Ⅲ. SiGe HBT, BiCMOS 및 strained FET
Ⅳ. SiGe 광수신 소자 및 태양전지
Ⅴ. 발열전극 및 열전 재료로서의 SiGe 합금
Ⅵ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (30)

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1. [학술대회논문] - R. Quinsey / 2007 / / IEEE 2007 Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Q. H. Fan / 2010 / / Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94 : 1300 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - M. Strasser / 2002 / / Sensor. Actuat. A 97 : 535 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - D. L. Harame / 1995 / / IEEE Trans. Electron Devices 42 : 455 ~ google schola 5. [학술대회논문] - C. Lei / 2010 / / Second International Conference on Networks Security, Wireless Communications and Trusted Computing : 486 ~ google schola

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