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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.9
- 수록면
- 250 - 256 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2013
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양전자 소멸 분광법으로 발광 박막 시료에 3.0 MeV 에너지를 가진 양성자 빔을 0.0∼20.0×10<SUP>13</SUP> protons/cm²의 조사에 의해 생성된 결함을 측정하여 박막구조 특성에 대하여 실험하였다. 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸법 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하고, 양전자 수명 측정 방법에 의한 양전자 수명 τ₁과 τ₂, 이에 따른 세기 I₁과 I₂를 사용하여, 박막구조에 대한 결함 특성 변화를 측정하였다. 측정된 S-변수는 박막에 조사된 양성자의 빔 조사량에 따라 양성자가 빈자리에 포획되어 감소하는 값을 보였다. 양전자 수명 τ₁은 증가하고, τ₂은 일정한 값을 나타내었으나, 반면에 세기 I₁과 I₂는 큰 변화가 없었다. 그 이유는 양성자 조사 빔의 변화에 따라서 단일 빈자리의 크기는 증가하고, 다 결정체 알갱이 빈자리 때문에 양성자에 의한 다수의 빈자리 결함의 양은 큰 차이가 없기 때문이다. 그리고 Bragg 피크로 인하여 박막 시료의 특정 깊이에 결함을 형성하여 박막 전체의 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 고찰
IV. 결론
References
참고문헌 (20)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Y. Amemiya / 1988 / / Nature (London) 336 : 89 ~
2. [학술지(정기간행물)] - M. Sonoda / 1983 / / Radiology 148 : 833 ~
3. [학술지(정기간행물)] - 김수인 / 2007 / Cu 금속 배선에 적용되는 질소와 탄소를 첨가한 W-C-N 확산방지막의 질소불순물 거동 연구 / 한국진공학회지 16 (5) : 348 ~ 352
4. [학술지(정기간행물)] - 이종용 / 2006 / Gd2O2S：Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성 / 한국재료학회지 16 (7) : 455 ~ 459
5. [학술지(정기간행물)] - C. Y. Lee / 2007 / Defect Analysis in Gd2O2S:Tb by Using X-ray Radiation with Positron Annihilation Methods / Journal of the Korean Physical Society 51 (3) : 1172 ~ 1175
2. [학술지(정기간행물)] - M. Sonoda / 1983 / / Radiology 148 : 833 ~
3. [학술지(정기간행물)] - 김수인 / 2007 / Cu 금속 배선에 적용되는 질소와 탄소를 첨가한 W-C-N 확산방지막의 질소불순물 거동 연구 / 한국진공학회지 16 (5) : 348 ~ 352
4. [학술지(정기간행물)] - 이종용 / 2006 / Gd2O2S：Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성 / 한국재료학회지 16 (7) : 455 ~ 459
5. [학술지(정기간행물)] - C. Y. Lee / 2007 / Defect Analysis in Gd2O2S:Tb by Using X-ray Radiation with Positron Annihilation Methods / Journal of the Korean Physical Society 51 (3) : 1172 ~ 1175
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