음의 정전용량 효과를 이용한 압전 소자 연구

신정민 ,  문승준 ,  박제원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2017 .11

Floating Gate-FET 소자 Vector Matrix Multiplication 적용 가능성 분석

조상기 ,  김수연 ,  강명곤 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2023 .06

Floating Gate FET를 위한 수직 전계 효과 트랜지스터의 집적 공정 개발 및 특성 측정

정인우 ,  백승재

대한전자공학회 학술대회

2022 .11

Steep switching devices for low power applications: negative differential capacitance/resistance field effect transistors

Ko Eunah ,  Shin Jaemin ,  신창완

Nano Convergence

2018 .01

Design of FET structure for high frequency in 65nm CMOS process

장대광 ,  김지훈 ,  권영우

IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems

2016 .10

Floating Gate FET를 위한 수직 전계 효과 트랜지스터의 집적 공정 개발

정인우 ,  이선정 ,  백승재

대한전자공학회 학술대회

2022 .06

바이오 메디컬 활용을 위한 FET 소자의 High off-current 원인분석 연구

오연화 ,  성민경 ,  정상희 외 8명

대한전자공학회 학술대회

2023 .06

IGBT 턴온 시 네거티브 게이트 커패시턴스 방전 특성

최준영 ,  김기현 ,  김수성 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2021 .10

SiC FET와 Gate Driver의 단락 보호 기능

신한호 ,  허준 ,  전성즙

전력전자학회 학술대회 논문집

2017 .11

Performance enhancement of non-resonant plasmonic THz detector by internal gate-source overlap capacitance in Si FET

E-san Jang ,  Min Woo Ryu ,  Sang Hyo Ahn 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

Comparative Study of Single and Double Gate All Around Cylindrical FET Structures for High-K Dielectric Materials

Rajvee ,  Kau ,  Balwinde 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2021 .08

Quantum modulation of the channel charge and distributed capacitance of double gated nanosize FETs

Gaspa ,  yan ,  Fe 외 5명

Advances in nano research

2015 .01

Intrinsic Gate Delay를 고려한 Nanowire-FET에서의 채널 간 간격 분석

김민수 ,  김종수 ,  고형우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

0V 턴 오프 MOS Controlled Thyristor 소자 구조 설계 및 전압전류특성 시뮬레이션

권성규 ,  조두형 ,  원종일 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2020 .11

Negative Differential Capacitance 효과를 활용한 FinFET 및 SOI 소자의 성능 향상 실험 연구

고은아 ,  김예진 ,  김재은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2017 .11

3nm급 Multi-Nanosheet FET 소자의 Bottom Oxide에 따른 SRAM 특성

박수길 ,  김현경 ,  유창현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2021 .06

FET Based Depression Sensor Development

이지연 ,  서성은 ,  권오석

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2019 .10

위상학적 절연체 내 음의 양자 정전용량을 활용한 저전력 반도체 소자 구현에 관한 이론 연구

최현우 ,  신창환

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

Nanowire FET와 Nanosheet FET에서의 processinduced random variation 비교 및 분석

임재혁 ,  신창환

대한전자공학회 학술대회

2020 .08

Electrical Properties of MoTe₂ FETs with High-k Gate Dielectrics

Pan-Gum Jung ,  Dong Jin Lee ,  Nam-Hoon Kim 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2017 .11