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In this article, author explains the important dry etching process in the eight major steps to semiconductor fabrication. In particular, the technology of atomic layer etching (ALE) has introduced as one of the most anticipated core technology in the fabrication of 3-dimensional next-generation semiconductor devices having a miniaturized and complex structure. Furthermore, the recent status of ALE process and equipment development are reviewed.
목차
서론
반도체 식각기술
반도체 트렌지스터의 구조변화
원자층 식각(ALE)의 메커니즘 및 특징
ALE 설비 개발 현황과 기술의 진전
마무리
References
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