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저자정보
Taegeon Yoon (Tech University of Korea) Sung-Hun Jo (Tech University of Korea)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
543 - 547 (5page)

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A capacitance-to-time conversion-based read-out circuit for sensor applications is proposed. As the CMOS process scaled down to the deep subnanometer process, the supply voltage decreases, which limits the implementation of high-resolution characteristics in the voltage domain readout circuit. In this paper, a counter-based capacitance sensor readout circuit is proposed. The time it takes to charge or discharge varies depending on the magnitude of the capacitance sensor, and the magnitude of sensor change can be detected by measuring it in the time domain. By using the proposed method, the capacitance of the sensor can be accurately determined without complex calibration or external components, and it can be applied to various sensor applications.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Proposed Read-Out Circuit
Ⅲ. Conclusion
References

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