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이용수8
1. 서 론 = 122. 이론적 배경 = 172.1. MRAM (Magnetic Random Access Memory) = 172.1.1. MRAM의 구조 및 동작 원리 = 172.1.2. 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) = 192.1.3. 수직자기이방성 (Perpendicular Magnetic Anisotropy, PMA) = 202.2. 비정질 합금 (Amorphous Alloy) = 232.2.1. 비정질 금속의 자기 및 구조적 특성 = 232.2.2. 비정질 강자성체 = 232.2.3. 비정질 강자성체 CoSiB의 기본 특성 = 243. 실험 기구 및 방법 = 253.1. 실험 기구 = 253.1.1. 박막 증착 시스템 (Sputtering system) = 253.1.2. 진동 시료형 마그네토미터 (Vibrating Sample Magnetometer, VSM) = 263.1.3. 주사 전자 현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM) = 283.2. 실험 방법 = 303.2.1. 박막 증착 = 303.2.2. VSM 측정 = 324. 실험 결과 및 고찰 = 334.1. CoSiB의 자기적 특성 및 열적 안정성 = 334.2. CoSiB/Pd 다층박막의 자기적 특성 분석 = 374.2.1. CoSiB 두께 변화에 따른 수직자기이방성 변화 = 374.2.2. Pd 두께 변화에 따른 수직자기이방성 변화 = 404.2.3. 다층박막 반복 횟수에 따른 수직자기이방성 변화 = 425. 결 론 = 456. 참고문헌 = 48
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