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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

정솔 (숙명여자대학교, 숙명여자대학교 대학원)

지도교수
임혜인
발행연도
2013
저작권
숙명여자대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수8

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

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자성체의 내부의 자화 방향이 박막의 수직인 방향을 향하게 되는 현상을 ‘수직자기이방성 (Perpendicular Magnetic Anisotropy, PMA)’ 이라 부른다. 이 현상은 현재 고집적 메모리 소자를 개발함에 있어서 가장 활발하게 연구가 진행되는 분야로, 예로부터 Co/Cr 박막 소자가 가장 널리 알려져 있다.
MRAM (Magnetic Random Access Memroy)의 구동 cell은 자기터널접합구조 (Magnetic Tunnel Junction, MTJ)를 가지며, 고집적화를 위해 자기접합 구조에 직접적으로 전류를 흘려주는 스핀전달토크 (Spin Transfer Torque, STT) 현상을 가지는 STT-MRAM이 현재 활발히 연구 진행 중에 있다. STT-MRAM은 64GB 이상의 고밀도와 1 ns 이하의 높은 자화 반전 속도가 충족되어야 하는데, 그러기 위해서는 하나의 cell 크기가 30 nm 이하로 작게 제작되어야 한다. 이러한 차세대 통합메모리에 필수 조건을 갖춘 많은 재료 중 가장 적합한 것이 자성재료이며, 특히 비정질 자성재료가 가장 적합한 특성을 갖는다고 알려져 있다. 이러한 자성재료들은 낮은 자기이방성 (magnetic anisotropy, Ku)와 낮은 포화자화도 (saturated magnetization, Ms)를 가져 열적 안정성을 갖는다. 또한, 하나의 cell 크기를 작게 만들기 위해, STT-MRAM을 수직자기이방성이라는 특성을 갖는 재료로 제작할 필요가 있다.
본 논문에서는 비정질 합금인 CoSiB과 비자성체 Pd를 이용하여 CoSiB/Pd 다층박막을 제작하여 자기터널접합구조 중 자유층에 적용하여 실험을 하였으며, CoSiB 비정질 단일박막과 CoSiB/Pd 다층박막을 VSM (Vibrating Sample Magnetometer)으로 측정하여 그 자기적 특성을 분석하였다.

목차

1. 서 론 = 12
2. 이론적 배경 = 17
2.1. MRAM (Magnetic Random Access Memory) = 17
2.1.1. MRAM의 구조 및 동작 원리 = 17
2.1.2. 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) = 19
2.1.3. 수직자기이방성 (Perpendicular Magnetic Anisotropy, PMA) = 20
2.2. 비정질 합금 (Amorphous Alloy) = 23
2.2.1. 비정질 금속의 자기 및 구조적 특성 = 23
2.2.2. 비정질 강자성체 = 23
2.2.3. 비정질 강자성체 CoSiB의 기본 특성 = 24
3. 실험 기구 및 방법 = 25
3.1. 실험 기구 = 25
3.1.1. 박막 증착 시스템 (Sputtering system) = 25
3.1.2. 진동 시료형 마그네토미터 (Vibrating Sample Magnetometer, VSM) = 26
3.1.3. 주사 전자 현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM) = 28
3.2. 실험 방법 = 30
3.2.1. 박막 증착 = 30
3.2.2. VSM 측정 = 32
4. 실험 결과 및 고찰 = 33
4.1. CoSiB의 자기적 특성 및 열적 안정성 = 33
4.2. CoSiB/Pd 다층박막의 자기적 특성 분석 = 37
4.2.1. CoSiB 두께 변화에 따른 수직자기이방성 변화 = 37
4.2.2. Pd 두께 변화에 따른 수직자기이방성 변화 = 40
4.2.3. 다층박막 반복 횟수에 따른 수직자기이방성 변화 = 42
5. 결 론 = 45
6. 참고문헌 = 48

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