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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

이환희 (광운대학교, 광운대학교 대학원)

지도교수
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발행연도
2019
저작권
광운대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수12

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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현재 반도체 공정에 EUV(극자외선) 장비 도입 등 초미세화 공정 개발이 활발하고, 웨이퍼 대면적화와 함께 다이 수율 확보가 중요해진 만큼 챔버 내 플라즈마 상태의 정밀한 진단의 중요성이 대두되었다. 특히 장비 대면적화에 따른 플라즈마 균일도(Plasma uniformity) 측정이 중요해졌다. 이러한 요구에 따라 새로운 방식의 진공 플라즈마 진단 방법에 대하여 연구하였다. 본 논문에서는 플라즈마를 진단하는 방법으로서, 공면(Coplanar) 구조의 전극을 이용하여 유도 결합성 플라즈마(ICP)의 커패시턴스를 측정하는 방법을 다루었다. 측정용 R-C 회로와 플라즈마를 등가회로로 구성하여 플라즈마에 의해
변하는 전체 커패시턴스의 변화를 디지털 방식으로 측정하였다. 최종적으로, 측정한 전체 커패시턴스를 등가 회로에 적용하여 플라즈마의 커패시턴스와 유전율을 도출하였다. 한편, 측정한 유전율을 비충돌 플라즈마(Collisionless plasma) 모델에 적용하여 플라즈마 밀도(Plasma density)로 계산하였으며 이중 랑뮤어 탐침법(Double Langmuir Probe) 로 측정된 밀도와 비교, 분석하였다. 결과적으로 인가 전력, 압력, 위치 등 조건에 따른 플라즈마의 밀도와 측정된 플라즈마 커패시턴스 간 경향성을 확인하였으며, 챔버 내 위치에 따른 국부적인 영역에서의 플라즈마 진단 가능성을 확인하였다.

목차

I. 서론 1
II. 관련이론 2
2.1. 커패시턴스 2
2.1.1. 유전율 2
2.1.2. 커패시턴스 5
2.1.3. 직류 회로의 R-C 회로 6
2.1.4. 교류회로의 커패시터 10
2.2. 플라즈마 15
2.2.1. 플라즈마의 정의 15
2.2.2. 플라즈마의 특성 16
2.2.3. 플라즈마 유전율 22
2.2.4. 플라즈마 진단 방법 26
2.2.5. 플라즈마 방전 시스템35
III. 실험 40
3.1. 측정 대상 및 방법 40
3.1.1. 플라즈마 유전 상수 측정 40
3.1.2. 측정 원리 및 방법 42
3.2. 측정 시스템 구성 47
3.2.1. 전극 설계 47
3.2.2. 측정 시스템 47
3.2.3. 등가회로를 통한 커패시턴스 계산 49
3.3. 실험 조건 및 결과 50
3.3.1. 측정 회로의 신뢰성 시험 50
3.3.2. 조건에 따른 플라즈마 커패시턴스 측정 52
3.3.3. 플라즈마 밀도 환산 및 이중 탐침법(DLP)과 비교, 분석 61
IV. 결론 72
V. 참고 문헌 74

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