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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.6
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 653 - 657 (5page)
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A new paired gate-source voltage RF capacitance-voltage (C-V) method of extracting the effective channel length and parasitic capacitance using the intersection between two closely spaced linear regression lines of the gate capacitance versus gate length measured from S-parameters is proposed to remove errors from conventional C-V methods. Physically verified results are obtained at the gatesource voltage range where the slope of the gate capacitance versus gate-source voltage is maximized in the inversion region. The accuracy of this method is demonstrated by finding extracted value corresponding to the metallurgical channel length.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. MEASUREMENT AND ANALYSIS
III. EXTRACTION
IV. DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (11)
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[학술지(정기간행물)] - G. J. Hu / 1987 / Gate-voltagedependent effective channel length and series resistance of LDD MOSFET’s / IEEE Trans. Electron Devices 34 (12) : 2469 ~ 2475
[학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 1996 / An effective cannel length determination method for LDD MOSFET’s / IEEE Trans. Electron Devices 43 (12) : 580 ~ 587
[단행본] - N. Arora / 2007 / MOSFET modeling for VLSI simulation theory and practice / World Scientific
[학술대회논문] - S. Lee / 2000 / A new RF capacitance method to extract the effective channel length of MOSFET’s using Sparameters / Proc. IEEE Hong Kong Electron Devices Meet : 56 ~ 59
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2004 / Improved extraction method for effective channel length of deep-submicron MOSFETs / Electron. Lett 40 (4) : 274 ~ 276
[학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 1996 / An effective cannel length determination method for LDD MOSFET’s / IEEE Trans. Electron Devices 43 (12) : 580 ~ 587
[단행본] - N. Arora / 2007 / MOSFET modeling for VLSI simulation theory and practice / World Scientific
[학술대회논문] - S. Lee / 2000 / A new RF capacitance method to extract the effective channel length of MOSFET’s using Sparameters / Proc. IEEE Hong Kong Electron Devices Meet : 56 ~ 59
[학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2004 / Improved extraction method for effective channel length of deep-submicron MOSFETs / Electron. Lett 40 (4) : 274 ~ 276
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