화합물-실리콘 이종 반도체 융합 공정에 따른 실리콘 웨이퍼 뒷면 비소 오염 최소화 연구

임성규; 김도균; 황해철; 김진수; 신찬수; 이희덕; 김대현

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저자정보: 임성규 (나노종합기술원) 김도균 (경북대학교) 황해철 (나노종합기술원) 김진수 (경북대학교) 신찬수 (한국나노기술원) 이희덕 (충남대학교) 김대현 (경북대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회

발행연도: 2016.6

수록면: 113 - 116 (4page)

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In this paper, we have investigated a pathway to mitigate the arsenic (As) cross-contamination on a back side Si wafer during GaAs growth by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). Without a proper protocol doing a III-V on Si heterogeneous epitaxy, We have observed high levels of the As concentration on the back side Si wafer, easily in excess of 1 × 1020 atoms/㎤ by secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis and 1015 atoms/㎠ by total reflection X-ray fluorescence (TXRF) analysis, after GaAs growth on Si. This known level of contamination on wafers would disqualify them for fabrication in existing Si VLSI FABs. In order to mitigate the As cross-contamination, we have proposed a SiO2 protection layer on the back side of the Si wafer. From both SIMS and TXRF analysis, the proposed scheme has dramatically lowered the back side as concentration to 1.5 × 1016 atoms/㎤ by SIMS and 1.0 × 1010 atoms/㎠ by TXRF.

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