Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석

김신근; 서영수; 강명곤; 신형철

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 김신근 (서울대학교) 서영수 (서울대학교) 강명곤 (Korea National University of Transportation) 신형철 (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회

발행연도: 2016.11

수록면: 126 - 128 (3page)

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