오프 상태 스트레스에 의한 에이징된 P형 Poly-Si TFT에서의 GIDL 전류의 특성

신동기; 장경수; Nguyen Thi Cam Phu; 박희준; 김정수; 박중현; 이준신

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.372

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저자정보: 신동기 (성균관대학교) 장경수 (성균관대학교 정보통신대학) Nguyen Thi Cam Phu (성균관대학교 정보통신대학) 박희준 (성균관대학교(자연과학캠퍼스) 정보통신기술연구소) 김정수 (성균관대학교) 박중현 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제6호

발행연도: 2018.9

수록면: 372 - 376 (5page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.372

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2019

오프 상태 스트레스를 이용한 GIDL 전류 감소 및 ELA poly-Si TFT 캡 층을 이용한 인터페이스 개선에 관한 연구

신동기 2019.01 학위논문

2018

오프 상태 스트레스에 의한 에이징된 P형 Poly-Si TFT에서의 GIDL 전류의 특성

신동기 , 장경수 , Nguyen Thi Cam Phu 외 4명 전기전자재료학회논문지 2018.09 학술저널

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The effects of off-state bias stress on the characteristics of p-type poly-Si TFT were investigated. To reducethe gate-induced drain leakage (GIDL) current, the off-state bias stress was changed by varying Vgs and Vds. Afterapplication of the off-state bias stress, the Vgs causing GIDL current was dramatically increased from 1 to 10 V, andthus, the Vgs margin to turn off the TFT was improved. The on-current and subthreshold swing in the aged TFT wasmaintained. We performed a technology computer-aided design (TCAD) simulation to describe the aged characteristics. The aged-transfer characteristics were well described by the local charge trapping. The activation energy of the GIDLcurrent was measured for the pristine and aged characteristics. The reduced GIDL current was mainly a thermionicfield-emission current.

#GIDL current #Off state stress #Charge trapping #Defect creation #Poly-Si TFT

참고문헌 (14)

참고문헌 신청

T. Serikawa / 1989 / IEEE Trans. Electron Devices 36:1929

J. J. Lih / 2004 / J. Soc. Inf. Disp. 12:367

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A. A. Orouji / 2006 / IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 6:315

S. H. Han / 2007 / IEEE Trans. Electron Devices 54:2546

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