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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제12호
발행연도
2016.1
수록면
841 - 846 (6page)

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수열 합성법을 이용하여 실리콘 및 유리 기판 위에 ZnO 나노로드를 길렀다. 성장시간에 따른 나노로드의 구조적 및 광학적 특성 변화를 관찰하였다. 약 10 nm 두께의 ZnO막을 고주파 스퍼터링으로 증착하여 시드 층으로 사용하였다. 0.05 몰의 Zinc nitrate hexahydrate와 0.05 몰의 hexamethylenetetramine을 탈 이온수에 녹여서 반응 용액으로 사용하였다. ZnO 나노로드를 90 °C에서 30 분, 1 시간, 2 시간, 3 시간, 4 시간 동안 성장시켰다. ZnO 나노로드의 결정성 및 표면형상을 XRD 및 FESEM으로 관찰하였다. UV-Vis 광분석기로 광 투과율 및 흡수율을 측정하고 그로부터 에너지 갭과 Urbach 에너지를 구하였다. Nd-Yag 레이저로 Photoluminescence 측정을 하였다.

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