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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.28 No.6
- 발행연도
- 2019.11
- 수록면
- 221 - 225 (5page)
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Recent developments in semiconductor technology have resulted in advancements in device manufacturing processes, especially when plasma discharges are required. In this investigation, an inductively coupled plasma (ICP) discharge with a radio frequency bias simulation was explored. A 2D symmetric structure is presented and a modified fluid model is applied using the electron distribution function (EEDF). This is achieved by using a two-term Boltzmann approximation and an ion energy distribution function (IEDF) with the particle-in-cell method. In addition, the heat transfer and gas flow effects are considered to improve the simulation results. The application of multi-physics components to the ICP discharge displays hybrid-like results using COMSOL[1].
목차
ABSTRACT
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Model description
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusions
References
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