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ZnO film was prepared on a p-type Si wafer and then annealed at various temperatures in air and vacuum conditions to research the electrical properties and bonding structures during the annealing processes. ZnO film annealed in atmosphere formed a crystal structure owing to the suppression of oxygen vacancies: however, ZnO annealed in vacuum had an amorphous structure after annealing because of the increment of the content of oxygen vacancies. Schottky contact was observed for the ZnO annealed in an air. O 1s spectra with amorphous structure was found to have a value of 529 eV; that with a crystal structure was found to have a value of 531.5 eV. However, it was observed in these results that the correlation between the electronic characteristics and the bonding structures was weak.
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G. Kenugapal / 2011 / Current Appl. Phys 11:S381
S. Akasaka / 2008 / Appl. Phys. Lett 93:123309
심상보 / 2015 / 은이 코팅된 이산화티탄 나노입자 및 도전성 페이스트 제조 특성 / 한국재료학회지 25(12):683~689
S. W. Tsao / 2010 / Solid-State Electronics 54:1497
Du-Won Jeong / 2011 / p-type Conduction in ZnO Nanowire Schottky Field-effect Transistors with Pt Metal Electrodes / Journal of the Korean Physical Society 59(5):3133~3137
S. Akasaka / 2008 / Appl. Phys. Lett 93:123309
심상보 / 2015 / 은이 코팅된 이산화티탄 나노입자 및 도전성 페이스트 제조 특성 / 한국재료학회지 25(12):683~689
S. W. Tsao / 2010 / Solid-State Electronics 54:1497
Du-Won Jeong / 2011 / p-type Conduction in ZnO Nanowire Schottky Field-effect Transistors with Pt Metal Electrodes / Journal of the Korean Physical Society 59(5):3133~3137
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