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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최진석 (금오공과대학교 신소재공학부) 안성진 (금오공과대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제6호
발행연도
2016.1
수록면
347 - 352 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2016

이온 주입법을 이용한 ZnO 박막의 As 도핑
최진석 ,  안성진 한국재료학회지 2016.01 학술저널

2015

이온 주입법을 이용한 As 도핑된 p형 ZnO 박막 및 나노막대 제조
최진석 신소재공 2015.01 학위논문

초록· 키워드

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ZnO with wurtzite structure has a wide band gap of 3.37 eV. Because ZnO has a direct band gap and a large exciton binding energy, it has higher optical efficiency and thermal stability than the GaN material of blue light emitting devices. To fabricate ZnO devices with optical and thermal advantages, n-type and p-type doping are needed. Many research groups have devoted themselves to fabricating stable p-type ZnO. In this study, $As^+$ ion was implanted using an ion implanter to fabricate p-type ZnO. After the ion implant, rapid thermal annealing (RTA) was conducted to activate the arsenic dopants. First, the structural and optical properties of the ZnO thin films were investigated for as-grown, as-implanted, and annealed ZnO using FE-SEM, XRD, and PL, respectively. Then, the structural, optical, and electrical properties of the ZnO thin films, depending on the As ion dose variation and the RTA temperatures, were analyzed using the same methods. In our experiment, p-type ZnO thin films with a hole concentration of $1.263{\times}10^{18}cm^{-3}$ were obtained when the dose of $5{\times}10^{14}$ As $ions/cm^2$ was implanted and the RTA was conducted at $850^{\circ}C$ for 1 min.
#as doped p-type ZnO #ion implantation #pulsed laser deposition #rapid thermal annealing #wide band gap semiconductors

목차

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참고문헌 (21)

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T. Atsushi / 2005 / Jpn. J. Appl. Phys. 44:L643 google schola S. Chu / 2008 / Appl. Phys. Lett 93:181106 google schola S. Liang / 2001 / J. Cryst. Growth 225:110 google schola A. Janotti / 2007 / Phys. Rev. B 76:165202 google schola V. Vaithianathan / 2005 / J. Appl. Phys 98:043519 google schola

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