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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조신호 (신라대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제55권 제2호
발행연도
2022.4
수록면
96 - 101 (6page)

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The effects of the growth temperature on the structural, optical, and morphological properties of BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> phosphor thin films were investigated. The BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> thin films were grown on quartz substrates at several growth temperatures by radio-frequency magnetron sputtering. All the thin films crystallized in a tetragonal structure with a main BaWO₄ (112) diffraction peak. The 830 nm-thick BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> thin films grown at 300 ℃ exhibited numerous polygon-shaped particles. The excitation spectra of BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> thin films consisted of a broad excitation band in the 200–270 nm with a maximum at 236 nm due to the O<SUP>₂-</SUP>-Sm<SUP>3+</SUP> charge transfer and two small bands peaked at 402 and 463 nm, respectively. Under 236 nm excitation, the BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> thin films showed an intense red emission peak at 641 nm due to the ⁴G<SUB>5/2</SUB>→<SUP>6</SUP>H<SUB>9/2</SUB> transition of Sm<SUP>3+</SUP>, indicating that the Sm<SUP>3+</SUP> ions occupied sites of non-inversion symmetry in the BaWO₄ host lattice. The highest emission intensity was observed for the thin film grown at 300 ℃, with a 51.8% transmittance and 5.09 eV bandgap. The average optical transmittance in the wavelength range of 500–1100 nm was increased from 53.2% at 200 ℃ to 60.8% after growing at 400 ℃. These results suggest that 300 ℃ is the optimum temperature for growing red-emitting BaWO₄:Sm<SUP>3+</SUP> thin films.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (17)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-581-000186174