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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조신호 (신라대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.4 No.1
발행연도
2016.3
수록면
25 - 29 (5page)

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Eu<SUP>3+</SUP>-activated MgMoO₄ phosphor thin films were grown at 400°C on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputter deposition from a 15 mol% Eu-doped MgMoO₄ target. After the deposition, the phosphor thin films were annealed at several temperatures for 30 min in air. The influence of thermal annealing temperature on the structural and optical properties of MgMoO₄:Eu<SUP>3+</SUP> phosphor thin films was investigated by using X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), and ultraviolet-visible spectrophotometry. The transmittance, optical band gap, and intensities of the luminescence and excitation spectra of the thin films were found to depend on the thermal annealing temperature. The XRD patterns indicated that all the thin films had a monoclinic structure with a main (220) diffraction peak. The highest average transmittance of 91.3% in the wavelength range of 320~1100 nm was obtained for the phosphor thin film annealed at 800°C. At this annealing temperature the optical band gap energy was estimated as 4.83 eV. The emission and excitation spectra exhibited that the MgMoO₄:Eu<SUP>3+</SUP> phosphor thin films could be effectively excited by near ultraviolet (281 nm) light, and emitted the dominant 614 nm red light. The results show that increasing RTA temperature can enhance Eu<SUP>3+</SUP> emission and excitation intensity.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (19)

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