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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최승구 (안동대학교) 전혜린 (안동대학교) 신동희 (안동대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제71권 제6호
발행연도
2021.6
수록면
506 - 509 (4page)

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화학 기상 증착법으로 성장된 육각형 질화붕소 (hexagonal boron nitride, h-BN) 절연층을 bis(trifluoromethanesulfonyl)-amide (TFSA) 가 도핑된 그래핀 투명 전도성 전극/다공성 실리콘(porous Si, PSi) 사이에 삽입하여 TFSA-그래핀/h-BN/PSi 태양전지를 제작하였다. 광전자 파라미터는 TFSA 도핑과 h-BN 절연층 유. 무에 따라 크게 의존한다. 특히, 큰 에너지 띠를 갖는 h-BN 절연층을 삽입할 경우 TFSA-그래핀/PSi 계면에서 캐리어 재결합을 방지함으로써 전하의 수집/분리 기능이 향상되어 효율을 향상 시킬 수 있다. 결과적으로, TFSA-그래핀/h-BN/PSi 태양전지 구조에서 최대 12.07%의 변환효율을 보였다. 이 결과는 그래핀/Si 태양전지에 있어 h-BN이 절연층으로서 우수하다는 것을 의미하여 향후 그래핀/Si 기반 광전자 소자활용에 있어 매우 유용할 것으로 기대된다.
#Si solar cell #Heterostructure #Schottky Barrier #Porous Si #Raphene #실리콘 태양전지 #이형접합 #쇼트키 장벽 #다공성 실리콘 #그래핀

목차

I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 고찰
IV. 결론
REFERENCES

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