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RRAM(Resistive Random Access Memory)은 비휘발성 메모리로서 RRAM를 활용한 뉴로모픽 기술 연구에 적용할 수 있다. 신경 접합부 모방소자로 활용하기 위해서는 저항 변화의 특성과 확장성이 필수적이 다. 따라서, 본 연구에서는 RRAM의 금속산화물로 산화티타늄(TiO<sub>x</sub>)과 산화탄탈륨(TaO<sub>x</sub>)을 사용하여 제작하고 산소 공극의 이동으로 인한 전도성 필라멘트의 형성을 통해 저항의 변화를 확인하였다. TaO<sub>x</sub> 을 이용하여 제작된 RRAM 소자가 TiO<sub>x</sub> 을 이용하여 제작된 RRAM 소자보다 우수한 스위칭 거동을 보임을 확인하였다. 이는 TaO<sub>x</sub> 와 Pt전극간의 전도대가 TiO<sub>x</sub> 보다 더 근접하게 형성되기 때문이다. 이상의 결과로부터 TaO<sub>x</sub> 를 이용한 RRAM 소자를 뉴로모픽 (Neuromorphic) 분야에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES
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