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전윤수 (한국과학기술연구원) 정유진 (한국과학기술연구원) 조경철 (한국과학기술연구원) 이상렬 (한국과학기술연구원)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회
발행연도
2010.7
수록면
1,285 - 1,286 (2page)

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The effect of nitrogen doping on Znic oxide (ZnO) thin film transistor has been studied in this work. The nitrogen doping was done by dielectric barrier discharge (DBD) method during the ZnO deposition. After minimum annealing temperature of 300℃, both ZnO (without DBD) and ZnO:N(with DBD) TFTs show the transfer characteristic^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE01534359');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#

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