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Choi, Jong-Kwon (Devices & Materials Laboratory, LG Electronics Institute of Technology) Baik, Min-Kyung (Devices & Materials Laboratory, LG Electronics Institute of Technology) Joo, Min-Ho (Devices & Materials Laboratory, LG Electronics Institute of Technology) Park, Kyu-Ho (Devices & Materials Laboratory, LG Electronics Institute of Technology) Lee, Jay-Man (Digital Display Research Laboratory, LG Electronics) Kim, Myung-Seop (Digital Display Research Laboratory, LG Electronics) Yang, Joong-Hwan (Digital Display Research Laboratory, LG Electronics)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
발행연도
2007.1
수록면
1,298 - 1,300 (3page)

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The interface between SiNx and ZnO was investigated with Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS) for ZnO based thin film transistor (TFT) applications. Impurity species were interstitial $N_2$ molecules at the SiNx / ZnO interface. The evolution of $N_2$ is decreased with increasing of anneal temperature.

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