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저자정보
Dong-Sik Kim (Daejin University) Dong-Myoung Joo (Sungkyunkwan University) Byoung-Kuk Lee (Sungkyunkwan University) Jong-Soo Kim (Daejin University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
2,650 - 2,655 (6page)

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This paper presents a design consideration of GaN FET-based resonant dc-dc converter, and the efficiency and ZVS characteristics of the resonant dc-dc converter based on GaN FET parameters are theoretically analyzed. To verify the validity of analysis, a 600W phase-shift full-bridge dc-dc converter is designed and implemented. The faulty turn-on and ZVS issue caused by GaN FET characteristics are analyzed and their improvement ideas are presented.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. THEORETICAL ANALYSIS
III. DESIGN OF PHASE-SHIFT FULL-BRIDGE DC-DC CONVERTER USING GAN FET
IV. EXPERIMENTAL RESULTS AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

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