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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김태규 (창원대학교) 안호균 (창원대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제68권 제2호
발행연도
2019.2
수록면
296 - 303 (8page)
DOI
10.5370/KIEE.2019.68.2.296

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Recently, there have been many studies on power conversion systems using GaN devices. In particular, in the system of below 600V, GaN has a beneficial advantages over the SiC device. However, due to the characteristics of the GaN device, the parasitic capacitance and the threshold voltage are low, it is difficult to obtain an increase in efficiency even when a GaN device is substituted for a system using Si semiconductor due to ringing and faulty turn on. Especially, high frequency noise is often included in the PWM output stage of the IC due to the characteristics of the internal circuit. This noise affects the switching output and reduces the efficiency in the system which the GaN device is applied.
In this paper, as one of the methods to solve this problem, we propose a method of analyzing PWM high frequency noise and removing it. In addition, we have been studied a method for improving the time delay caused by the added circuit, by using dead time and delay time compensation. The results of this paper are expected to be used as a method to improve efficiency when driving GaN devices.
#GaN FET #Synchronous Buck Converter #PWM compensation #WBG

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (7)

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Jo Min Gi / 2018 / Effects of substrate bias voltage on GaN power FET characteristics google schola ROHM semiconductor / 2018 / ROHM technical report google schola 안정훈 / 2014 / Si MOSFET과 GaN FET Power System 성능 비교 평가 / 전력전자학회 논문지 19(3):283~289 dbpia 김동식 / 2016 / Wide Bandgap 소자의 안정적 구동을 위한 하드웨어 최적 설계 및 구현 / 전기학회논문지 65(1):88~96 dbpia 정재웅 / 2017 / GaN FET 기반 동기정류기를 적용한 저전압-대전류 DC-DC Converter 효율예측 / 전력전자학회 논문지 22(4):297~304 dbpia

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