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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.5
- 수록면
- 41 - 47 (7page)
- DOI
- 10.5207/JIEIE.2019.33.5.041
이용수
초록· 키워드
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Si FETs (Silicon FETs) have been widely used as power switches for DC-DC converters. However, in recent years, GaN FETs (Gallium Nitride FETs), which have better electrical characteristics than Si FETs, have been commercialized and they have gradually replaced Si FETs. The superior electric characteristics of GaN FETs over Si FETs is analyzed in this paper. Among the various superior electric characteristics of GaN FETs, the absence of reverse recovery current and the capability of reverse conduction can reduce the conduction loss and the reverse recovery loss of a diode. which is the main power loss of the DC-DC boost converter operating in the CCM (continuous conduction mode). Therefore, a synchronous DC-DC boost converter, which can use two GaN FETs, was studied as a method to improve the power efficiency of the DC-DC boost converter. To verify the superiority of the proposed boost converter, a prototype with a input voltage of 12V, an output voltage of 24V, an operating frequency of 300kHz, and an output power of 35W was fabricated and compared with a conventional DC-DC boost converter using a MOSFET and a diode. The experimental results show that the power efficiency of the synchronous boost converter using two GaN FETs is higher than that of the conventional boost converter in the entire output power ranges and the maximum efficiency improvement is 4.9% at the output voltage of 35W.
목차
Abstract
1. 서론
2. GaN FET을 적용한 동기식 DC-DC 부스트 컨버터
3. 전력 반도체 소자 손실 분석
4. 실험결과
5. 결론
References
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
Jea-Woong Jeong, Hyun-Bin Kim, Jong-Soo Kim, and Nam-Joon Kim, “A Study on the Efficiency Prediction of Low-Voltage and High-Current dc-dc Converters Using GaN FET-based Synchronous Rectifier,” The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, vol. 22, no. 4, pp 297-304, 2017.
Dong-Myoung Joo, Dong-Sik Kim, Byoung-Kuk Lee, and Jong-Soo Kim, “Problem Analysis of Phase Shifted DC-DC Converter Using GaN FET,” The Koean Institute of Power Electronics Conference, Anseong Korea, pp. 197-198, 2014.
Paul Jang et. al, “Totem-pole Bridgeless Boost PFC Converter Based on GaN FETs,” The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, vol. 20, no. 3, pp 214-222, 2015.
Jae-Jung Yun et. al, “Improvement of Power-Conversion Efficiency of a DC-DC Boost Converter Using a Passive Snubber Circuit,” IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 59, no. 4, pp 1808-1814, 2012.
Nikolay Hinov et. al, “Comparative Loss Analysis of Boost and Synchronous Boost DC-DC Converters,” International Scientific Conference Electronics, Sozopol, Bulgaria, 2017.
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