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김태완 (서강대학교) 배동우 (서강대학교) 김광수 (서강대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
242 - 245 (4page)

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For the optimal design of Super-junction MOSFET, the electric charge of pillar and drift region are an important parameters. Thus in this paper, we analyzed static and dynamic characteristics with variations of quantity of electric charge at pillar, by simulation. When quantity of electric charge in pillar was larger than that of drift region, that is when we increased pillar doping concentration by 41%, we observed secondary breakdown voltage increased by 91%, softness factor decreased by 80% and avalanche energy increased by 12%.
#Super-junction MOSFET #Pillar #Breakdown voltage #Softness factor #UIS test

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
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Taewan Kim ,  Chungbu Jeong ,  Kwangsoo Kim 대한전자공학회 학술대회 2017 .01

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-569-000878574