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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 145 - 149 (5page)
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플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을조사하였다. GaFx 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 GaClx 식각 생성물 형성이 가능한 Cl2/Ar 플라즈마가 SF6/Ar 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, Cl2/Ar 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, 13Cl2/2Ar, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.
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Y. C. Chiang / 2015 / Novel thin-GaN LED structure adopted micro abraded surface to compare with conventional vertical LEDs in ultraviolet light / Nanoscale Res. Lett 10:182
D. Steigerwald / 1997 / III-V nitride semiconductors for highperformance blue and green light-emitting device / JOM 49:18
D. Zhu / 2013 / Low-cost high-efficiency GaN LED on large-area Si substrate / CS MANTECH Conference
E.J. Kang / 2005 / Improvement in light-output power of InGaN/GaN LED by formation of nanosize cavities on p-GaN surface / Electrochem. Solid-State Lett 8:G327
심장보 / 2016 / Basic 암모노써멀 방법에 의한 벌크 GaN 단결정의 성장 및 특성 / 한국결정성장학회지 26(2):58~61
D. Steigerwald / 1997 / III-V nitride semiconductors for highperformance blue and green light-emitting device / JOM 49:18
D. Zhu / 2013 / Low-cost high-efficiency GaN LED on large-area Si substrate / CS MANTECH Conference
E.J. Kang / 2005 / Improvement in light-output power of InGaN/GaN LED by formation of nanosize cavities on p-GaN surface / Electrochem. Solid-State Lett 8:G327
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