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탁현우 (성균관대학교) 성다인 (성균관대학교) 문룡 (성균관대학교) 김동우 (성균관대학교) 염근영 (성균관대학교)
저널정보
한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 2021년 한국진공학회 제60회 동계정기학술대회 초록집
발행연도
2021.2
수록면
143 - 143 (1page)

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반도체 공정의 Memory Device 공정에서 High-Aspect-Ratio Contact (HARC) 공정은 DRAM 과 3D NAND 구조에서 소자 특성을 결정짓는 중요한 공정이다.
특히나, 이러한 HARC 공정은 높은 선택비와 수직한 Etch Profile을 요구한다. 특히, 3D NAND HARC 공정에서는 Oxide 식각 속도만큼 Nitride 식각 속도^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10548794');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
#DRAM #3D NAND #HARC Etching #L-FC #Global Warming Potential (GWP) #Capacitively Coupled Plasma Etch

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