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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제3권 제3호
- 발행연도
- 2002.1
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The HDP (High Density Plasma) CVD process consists of a simultaneous sputter etch and chemical vapor deposition. As CMOS process continues to scale down to sub- quarter micron technology, HDP process has been widely used for the gap-fill of small geometry metal spacing in inter-metal dielectric process. However, HDP CVD system has some potential problems including plasma-induced damage. Plasma-induced gate oxide damage has been an increasingly important issue for integrated circuit process technology. In this paper, thin gate oxide charge damage caused by HDP deposition of inter-metal dielectric was studied. Multiple step HDP deposition process was demonstrated in this work to prevent plasma-induced damage by introducing an in-situ top SiH4 unbiased liner deposition before conventional deposition.
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