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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 39 - 43 (5page)
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According to recent changes in industry for the semiconductor device, a gap between patterns in wafer is getting narrow. And this narrow gap makes a failure of uniform deposition between center and edge on the wafer. In this paper, for solving this problem, we analyze and manipulate the gas flow inside of the HDP CVD chamber by using CFD(Computational Fluid Dynamics). This simulation includes design manipulations in heights of the chamber and shape of center nozzle in the upper side of the chamber. The result of simulation shows 1.28 uniformity which is lower 3% than original uniformity.
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Bolocher, J.M / 1962 / Chemical vapor deposition opens new horizons in ceramic technology / Am. Ceram. Soc. Bull 41:81~84
Powell, C.F / 1966 / Vapor deposition / Wiley
Hiroshi, K / 1922 / CVD핸드북 / 반도출판사
F.C. Eversteyn / 1970 / A Stagnat Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor / Journal of the Electrochemical Society 117:925~931
Chiu, W.K.S / 1998 / Heat and Mass Transfer in Continuous CVD Reactor / Pro. 11th Int. Heat Transfer Conf. 5:187~192
Powell, C.F / 1966 / Vapor deposition / Wiley
Hiroshi, K / 1922 / CVD핸드북 / 반도출판사
F.C. Eversteyn / 1970 / A Stagnat Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor / Journal of the Electrochemical Society 117:925~931
Chiu, W.K.S / 1998 / Heat and Mass Transfer in Continuous CVD Reactor / Pro. 11th Int. Heat Transfer Conf. 5:187~192
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