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저자정보
이백주 (한화) 천민호 (한화) 이규범 (한화) 서동원 (한화) 최재욱 (한화)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
177 - 180 (4page)

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본 연구에서는 MoO2Cl2 전구체(고체)를 사용하여 Thermal ALD 방법으로 Mo 박막을 제조하는 연구를 수행하였다. 고체 전구체의 경우 액체 전구체에 비해 증기압이 일정하게 유지되지 않아 공정 조건을 잡는게 어려웠다. 더구나 600℃ 이상의 고온에서의 고체 전구체 사용에는 많은 제약이 따른다. Mo 박막을 증착하기 위한 반응가스는 H2 를 사용하였으며, 증착 온도를 650℃까지 증가하였다. 650℃는 AlN heater의 maximum 공정 온도 조건으로 deposition rate과 resistivity 변화, 표면 morphology 특성을 비교하였다. 증착 온도가 600℃에서 650℃ 로 증가함에 따라 resistivity는 12.9μΩ∙cm수준으로 낮아졌고, 표면 roughness(Rq)가 0.560nm로 증가하였으며, step coverage가 97%가 확인 되었다.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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